Сегодня: 28 апреля 2025  07:15
Реестры

ГОСТы

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКА

31. ЭЛЕКТРОНИКА

1 2 3 4 521 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3177 78 79 80 81

  • ГОСТ 19798-74.
    действующий
    от: 22.03.2010
    Фотоэлементы. Общие технические условия
    Photocells. General specifications
    Настоящий стандарт распространяется на электровакуумные фотоэлементы и фотоумножители, содержащие один каскад усиления, предназначенные для преобразования сигналов оптического излучения в электрические и изготавливаемые для нужд народного хозяйства и для экспорта
  • ГОСТ 19799-74.
    действующий
    от: 22.03.2010
    Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения электрических параметров и определения характеристик
    Analog integrated circuits. Methods for measurement of electric parameters and determination of responses
    Настоящий стандарт распространяется на интегральные аналоговые микросхемы и устанавливает методы измерения электрических параметров и определения характеристик. Стандарт не распространяется на коммутаторы и ключи, на компараторы напряжения в части методов 1580, 1581, 2500, 2501 и операционные усилители
  • ГОСТ 19834.0-75.
    действующий
    от: 22.03.2010
    Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров
    Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей
  • ГОСТ 19834.2-74.
    действующий
    от: 22.03.2010
    Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости
    Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;
    метод замещения;
    методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный
  • ГОСТ 19834.3-76.
    действующий
    от: 22.03.2010
    Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
    Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
  • ГОСТ 19834.4-79.
    действующий
    от: 22.03.2010
    Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения
    Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения
  • ГОСТ 19834.5-80.
    действующий
    от: 22.03.2010
    Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
    Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении
  • ГОСТ 20003-74.
    действующий
    от: 22.03.2010
    Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
    Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
    Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок
  • ГОСТ 20186-74.
    действующий
    от: 22.03.2010
    Индикаторы вакуумные люминесцентные. Основные параметры
    Vacuum luminescent display tubes. Basic parameters
    Настоящий стандарт распространяется на вакуумные сегментные люминесцентные однозарядные индикаторы и устанавливает значения основных параметров
  • ГОСТ 20215-84.
    действующий
    от: 22.03.2010
    Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия
    Semiconductor microwave diodes. General specifications
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
    Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды

1 2 3 4 521 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3177 78 79 80 81

 

Возник вопрос по сертификации?

Воспользуйтесь формой обратной связи!
Получите бесплатную консультацию от квалифицированного специалиста!

Ваше имя: *
Контактный телефон:
Ваш вопрос: *